Main pageContacts
Русский языкEnglish language
Пресс-релизы

1. Наноэлектроника

Cборник тезисов секционных докладов, стендовых докладов и докладов участников конкурса научных работ молодых ученых

Секционные доклады
Стендовые доклады
Международный конкурс научных работ молодых ученых

1. Наноэлектроника

Наноструктуры на основе мультиферроиков, предназначенные для микроэлектромеханических систем (МЭМС) нового поколения
П. Перно, В. Преображенский, А. Каппи


Генерирование волн терагерцевого диапазона за счет внутренних Джозефсоновских переходов в высокотемпературном сверхпроводнике Bi2Sr2CaCu2O8+δ
K. Кадовки, Х. Ямагучи, K. Ямаки, M. Цуджимото, T. Ямамото, Х. Минами, T. Хаттори, M. Тачики, Х. Мацумото, T. Кояма, M. Мачида, С. Лин, Кс. Ху, Л. Озюзер, А. Е. Кошелев, К. Куртер, K. E. Грей, В.-К. Квок и У. Велп


ПЕРСПЕКТИВЫ НАНОСПИНТРОНИКИ
Роланд Визендангер


Спинтроника наногетероструктур на основе металлических ферромагнетиков
В.В. Устинов, Л.Н. Ромашев, М.Н. Миляев, Н.А. Виглин


Физика внутренних эффектов Джозефсона
Пауль Мюллер


Лазер-гребенка на основе квантовых точек для оптической коммуникации между кремниевыми чипами
Алексей Ковш


Динамика джозефсоновских вихрей в слоистых наноматериалах
Ю.И. Латышев, В.Н. Павленко, А.Е. Кошелев, M.Б. Гайфуллин, Ж. Чен, С.-Ж. Ким


Применение одномодовых квантовых каскадных лазеров с излучением в средней инфракрасной области спектра в газочувствительных приборах
Свен Хёфлинг


МАГНИТООПТИЧЕСКИЕ И АКУСТООПТИЧЕСКИЕ МЕТАМАТЕРИАЛЫ
Ю.В. Гуляев, А.Н. Лагарьков, С.А. Никитов


Компания «Intel» и развитие наноэлектроники
Дмитрий Е. Никонов, Джордж И. Бурьянофф и Паоло А. Гарджини


Баллистические и туннельные наноустройства на основе GaAs для терагерцевой электроники и медицинского оборудования
Петр Плотка, и Юн-ичи Нишизава


ИСТОЧНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР
П.С. КОПЬЕВ и Р.А. СУРИС


НОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ И ТЕХНОЛОГИИ ДЛЯ ПРИБОРОВ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
Ф.А. Кузнецов


ПЕРСПЕКТИВЫ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ КУБИЧЕСКОГО НИТРИДА БОРА ПРИ СОЗДАНИИ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ
О.Р. Абдуллаев, А.С. Якунин, Д.М. Жигунов, Е.М. Шишонок, О.Н. Шишонок,С.В. Леончик, А.С. Багдасарян, Ю.В. Гуляев, С.А. Никитов


НАНОТЕХНОЛОГИИ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКЕ
А.Л.Асеев


Новое поколение оборудования для молекулярно-лучевой эпитаксии современных наноматериалов. Основные технологические результаты
А.Н. Алексеев, Ю.В. Погорельский, А.Г. Филаретов, Д.М. Красовицкий, В.П. Чалый



Версия для печати   Вернуться на главную

Третий Международный форум по нанотехнологиям

Дирекция Форума

Государственная корпорация
Российская корпорация нанотехнологий

117420, Россия, Москва, ул. Наметкина, 12А
Тел.: +7 (495) 542-44-44,
факс: +7 (495) 988-56-82
e-mail: rusnanoforum09@rusnano.com
www.rusnanoforum.ru