Алферов Жорес Иванович

Алферов Жорес Иванович 

родился 15 марта 1930 г. в г. Витебск, Белорусская ССР, СССР
(ныне Республика Беларусь).

Окончил Ленинградский электротехнический институт им. В.И. Ульянова (Ленина) (ЛЭТИ) (1952). Факультет электроники,  специальность – электровакуумная техника.
Кандидат технических наук – 1961 г., доктор физико-математических наук – 1970 г.,    
профессор ЛЭТИ с 1972 г.

С 1953 г. работает в Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе РАН ( 1953 – 1964 г.г. -- младший научный сотрудник, 1964 – 1967 г.г. - старший научный сотрудник, 1967 – 1987 г.г. - заведующий лабораторией, с 1987 по май 2003 – директор, с мая 2003 г. по август 2006 г.– научный руководитель института, с 2006 г. – научный руководитель Центра физики наногетероструктур института), с 2005 г. – Председатель Санкт-Петербургского физико-технологического научно-образовательного центра РАН. С 1990 по 1991 - вице-президент АН СССР, председатель Президиума Ленинградского научного центра, с 1991 по настоящее время - вице-президент РАН, председатель Президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН.
 
Научные работы в области физики полупроводников, полупроводниковой и квантовой электроники, технической физики. Принимал участие в создании первых отечественных транзисторов, фотодиодов, мощных германиевых выпрямителей. Открыл явление сверхинжекции в гетероструктурах и показал, что в полупроводниковых гетероструктурах можно принципиально по-новому управлять электронными и световыми потоками. Создал "идеальные" полупроводниковые гетероструктуры. Исследованиями Ж.И. Алферова фактически создано новое направление - гетеропереходы в полупроводниках.

Главный редактор журнала «Письма в Журнал технической физики»

С 1972г. по 2006 г.- заведующий базовой кафедрой оптоэлектроники Ленинградского электротехнического института (ныне Санкт-Петербургского Электротехнического Университета), с 1988 г. по настоящее время - декан Физико-технического факультета Ленинградского политехнического института (ныне Санкт-Петербургского  Государственного Технического Университета).

Считает себя учеником академика В.М. Тучкевича и академика А.М. Прохорова. Является основоположником научной школы «Физика полупроводниковых гетероструктур и их применение». 

Среди его учеников более сорока кандидатов и десяти докторов наук. Наиболее известные представители школы: чл.-корреспонденты РАН Д.З. Гарбузов и Н.Н. Леденцов, доктора физ.-мат. наук: В.М. Андреев, В.И. Корольков, С.Г. Конников, С.А. Гуревич, Ю.В. Жиляев, П.С. Копьев, др.

С 1989 по 1992 г.г. являлся народным депутатом СССР. С 1995 г. по настоящее время является депутатом Государственной Думы Федерального Собрания Российской Федерации.
С 2000 г. является членом Комитета по науке и образованию ГД.

Почетные звания:

1. Действительный член (академик) Российской академии наук (АН СССР, 1979);
2. Пожизненный член Франклиновского института (США, 1971);
3. Иностранный член АН ГДР (1987);
4. Почетный профессор Гаванского университета (Куба, 1987);
5. Иностранный член Польской АН  (Польша, 1988);
6. Иностранный член Национальной инженерной  Академии (США, 1990); 7. Иностранный член Национальной  Академии Наук (США, 1990);
8. Почетный член Метрологической Академии наук (Санкт-Петербург, 1994);
9. Иностранный член Академии наук Республики Беларусь (1995);
10. Иностранный почетный член  Академии Науки и Технологии Кореи (1995);
11. Почетный член Общества физики и технологии полупроводников Пакистана (1996);
12. Заслуженный энергетик Российской Федерации (1996);
13. Почетный академик Международной Академии холода (1997);
14. Иностранный член Оптического общества США (1997);
15. Действительный член Международной Академии наук Экологии, Безопасности человека и природы (1998);
16. Почетный доктор Института общей и ядерной физики Российского научного центра «Курчатовский институт»(1998);
17. Почетный доктор Санкт-Петербургского Гуманитарного университета (1999);
18. Иностранный член Академии наук Украины (2000);
19. Почетный профессор СПбГТУ (2000);
20. Почетный член Оптического общества США (2000);
21. Почетный доктор СПбГЭТУ (ЛЭТИ) (2001);
22. Почетный профессор МГУ (2001);
23. Почетный доктор Белорусского государственного университета (2001);
24. Почетный гражданин сёл Хильки и Комаровка (Корсунь-Шевченковский район, Украина, 2001);
25. Почетный гражданин города Санкт-Петербурга (Санкт-Петербург, РФ, 2001);
26. Доктор Honoris Causa Политехнического университета Мадрида (2001);
27. Иностранный член Испанской инженерной академии (Испания, 2001);
28. Почетный член Института физики (Сингапур, 2001);
29. Почетный профессор Московского педагогического университета (2002);
30. Почетный гражданин города Минска (Белоруссия, 2002);
31. Почетный доктор наук JAIST (Япония, 2002);
32. Почетный профессор университета Нанджинга (Китай, 2002);
33. Доктор Honoris Causa Национального института прикладных наук (Тулуза, Франция);
34. Иностранный член Болгарской академии наук (2002);
35. Доктор Honoris Causa Национального инженерного университета (Перу, 2002);
36. Доктор Honoris Causa Педагогического института Сан Маркос (Перу, 2002);
37. Доктор Honoris Causa Университета Пловдива (Болгария, 2002);
38. Доктор Honoris Causa Университета Турку (Финляндия, 2003);
39. Иностранный член Национальной академии наук (Литва, 2003);
40. Почетный доктор НТУУ «Киевский политехнический институт» (Украина, 2004);
41. Иностранный член Национальной академии наук (Молдова, 2004);
42. Почетный гражданин города Сан-Кристобаля (Венесуэла, 2004);
43. Почетный профессор университета города Сан-Кристобаля (Венесуэла, 2004):
44.Иностранный член НАН Азербайджана (2004);
45. Почетный член Академии Наук (Accademia Nazionale Delle Scienze detta dei XL), называемой Forty (Рим, Италия, 2005);
46. Иностранный член НАН Казахстана (2005);
47. Почетный профессор Ульяновского государственного университета (2005):
48. Почетный доктор Архангельского государственного технического университета (2006);
49. Почетный профессор университетов Dundee и St. Andrews (Глазго, Шотландия, 2006):
50. Почетный профессор университета Oulu (Финляндия, 2006):
51. Доктор Honoris Causa Университета (Куба, 2006).

Научные награды и премии: 

1. Медаль Балантайна института Франклина (США, 1971) -- "За теоретические и экспериментальные исследования двойных лазерных гетероструктур, благодаря которым были созданы источники лазерного излучения малых размеров, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре";
2. Ленинская премия (СССР, 1972) -- "За фундаментальные исследования геторопереходов в полупроводниках  и создание новых приборов на их основе";
3. Хьюллет-Паккардовская премия Европейского физического общества -- "За новые работы в области гетеропереходов" (1978);
4. Государственная премия (СССР, 1984) -- "За разработку изопериодических гетероструктур на основе четверных твердых растворов полупроводниковых соединений  A3B5";
5. Награда Симпозиума по GaAs (1987) -- "За пионерские работы в области полупроводниковых гетероструктур на основе соединений III-V групп и разработку инжекционных лазеров и фотодиодов"; и медаль Х. Велькера (1987) -- "За пионерские работы по теории и технологии приборов на основе соединений III-V групп";
6. Премия А.П. Карпинского (ФРГ, 1989) -- "За вклад в развитие физики и техники гетероструктур";
7. Премия им. А.Ф. Иоффе РАН (РАН, 1996) -- ''За цикл работ «'Фотоэлектрические преобразователи солнечного излучения на основе гетероструктур»'';
8. Демидовская премия (РФ,1999);
9. Медаль А.С. Попова (РАН, 1999);
10. Премия Ника Холоньяка (Оптическое общество США, 2000);
11. Нобелевская премия  -- «За развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники», (Швеция, 2000);
12. Премия «Российский Национальный Олимп». Титул «Человек-легенда» (РФ, 2001);
13. Премия Киото (Инамори фонд, Япония, 2001) – «За успехи в создании полупроводниковых лазеров, работающих в непрерывном режиме при комнатных температурах – пионерский шаг в оптоэлектронике»;
14. Государственная премия (Российская Федерация, 2001);
15. Премия В.И. Вернадского (НАН Украины, 2001);
16. Награда «Золотая тарелка» (Академия достижений, США, 2002);
17. Золотая медаль (SPIE, 2002)
18. Международная энергетическая премия «Глобальная энергия» (Россия, 2005).

Автор более 500 научных работ, в т.ч. 4 монографий, более 50 изобретений.

Подготовил 48 кандидатов наук, 15 докторов наук.

Ордена СССР:

Знак почета (1959); Трудового Красного Знамени (1975); Октябрьской Революции (1980); Ленина (1986). 3 медали

Ордена России:

За заслуги перед Отечеством (III степени) (1999); За заслуги перед Отечеством (II степени) (2000); За заслуги перед Отечеством (I степени) (2005),  медали.

Ордена СНГ:

Орден Франциска Скорины – Республика Беларусь (2002), Орден Ярослава Мудрого – Украина (2003).

Именем Жореса Алферова в 2001 г. названа малая планета (астероид).

Основные труды:

1.  Ж.И. Алферов  О возможности создания выпрямителя на сверхвысокие плотности тока на
     основе p-i-n (p-n-n+, n-p-p+) структуры с гетеропереходами. ФТП, 1 , с.436-438, 1967.
2. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.И. Корольков, Д.Н. Третьков и В.М. Тучкевич.
    Высоковольтные p-n переходы в кристаллах GaxAl1-xAs. ФТП, 1 ,с.1579-1581, 1967.
3. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Е.Л. Портной и М.К. Трухан. Инжекционные лазеры на основе гетеропереходов в системе AlAs-GaAs с низким порогом генерации при комнатной
    температуре. ФТП, 3 , с.1328-1332, 1969.

4. Zh.I. Alferov  Electroluminescence of heavily doped AlxGa1-xAs-GaAs heterojunctions. Journal
    of Luminescence 1, p.935-950, 1969.
5. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, Ю.В. Жиляев, Е.П. Морозов, Е.Л. Портной и
    В.Г. Трофим. Исследование влияния параметров гетероструктуры в системе AlAs-GaAs на 
    пороговый ток лазеров и получение непрерывного режима генерации при комнатной 
    температуре. ФТП, 4 , с.1826-1829, 1970.
6. Zh.I. Alferov  The history and future of semiconductor heterostructures from the point of view of  
    a russian scientist. Physica Scripta. Vol. 68, p.32-45, 1996.
7. Ж.И. Алферов Физика и жизнь. СПб.: Наука, 2000.
8. Ж.И. Алферов Физика и жизнь. Изд. 2-е, дополненное. – М.-СПб.: Наука, 2001.
9. Ж.И. Алферов Наука и общество / Ж.И. Алферов; Физико-технический ин-т им. А.Ф. Иоффе – СПб.: Наука, 2005. – 383 с., 146 ил.

Основные опубликованные работы об академике Ж.И. Алферове.

1. Академику Ж.И. Алферову – 50 лет. // Вестн. АН СССР. 1980, N7, с.135-136.
2. Кулик-Ремезова  В. Физик Жорес Алферов. // Неделя, N 44 , 1980, с.13.
3. Храмов Ю.А. Физики: Биографический справочник. – 2-е изд., испр. и доп. – М.: Наука, 1983, с.11-12.
4. Жорес Иванович Алферов (К шестидесятилетию со дня рождения). // Успехи физ. наук, 1990. Т. 160, вып. 3, с.153-156.
5. Захарченя Б.П. Небольшая сага о Жоресе Алферове  // Аврора, 1996, N 5, с.38 – 50.