Main pageContacts
Русский языкEnglish language
Пресс-релизы

Математическое моделирование нанотехнологий

Get the Flash Player to see this player.

Руководители:

Академик В.Е. Фортов

Директор Института теплофизики экстремальных состояний Объединенного института высоких температур РАН

Академик В.Б. Бетелин

Директор Научно-исследовательского института системных исследований РАН

Проф. М.Н. Стриханов

Ректор Московского Инженерно-физического института

Проф. Курт Кремер

Институт изучения полимеров им. Макса Планка (Германия)

Заседание 1.
3 декабря 15:00 – 18:45 Зал №9

Пленарные доклады:

Время

Докладчики

Названия докладов

1.

20 мин.

Академик А.Р. Хохлов (МГУ им.М.В.Ломоносова, Институт элементоорганических соединений РАН)

Компьютерное моделирование самоорганизации полимерных систем на масштабах 1-100 нм

2.

20 мин.

Академик М.В. Алфимов, д.ф.-м.н. А.А. Багатурьянц (Центр фотохимии РАН)

Многомасштабное атомистическое моделирование супрамолекулярных систем: проблемы и перспективы

3.

20 мин.

Академик Н.Ф. Морозов, член-корреспондент РАН Д.А. Индейцев, д.ф.-м.н. Э.Л. Аэро, д.ф.-м.н. А.М. Кривцов, д.т.н. С.А. Кукушкин (Институт проблем машиноведения РАН)

Математическое моделирование процессов формирования структуры и свойств наноматериалов и нанообъектов

4.

20 мин.

Проф. Курт Кремер (Институт изучения полимеров им. Макса Планка, Германия)

Органические материалы для молекулярной электроники: возможности моделирования

Секционные доклады:

Время

Докладчики

Названия докладов

1.

10 мин.

Член-корреспондент РАН М.А. Гузев (Институт прикладной математики ДВО РАН); Д.В. Бердышев, В.П. Глазунов (Тихоокеанский институт биоорганической химии ДВО РАН); А.А. Карпенко (Институт биологии моря им. А.В. Жирмунского ДВО РАН)

Математическое моделирование структурной подвижности нанообъектов в приложении к задачам управления «фотомеханическими эффектами» и исследования механизмов анитоксидантного действия кардиопротекторов нового поколения

2.

10 мин.

Академик В.М. Фомин, академик В.В. Болдырев, И.Ф. Головнёв, Е.И. Головнёва (Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН)

Молекулярно-динамическое исследование столкновения металлических нанокластеров друг с другом и с подложкой и процесса осаждения наночастиц в легких

 

15 мин.

Кофе-брейк

 

3.

10 мин.

Академик В.Е. Панин (Институт физики прочности и материаловедения СО РАН)

Математическое моделирование нанотехнологии нанесения наноструктурных покрытий на конструкции для работы в экстремальных условиях нагружения

4.

10 мин.

Д.ф.-м.н. В.Ф. Елесин, И.Ю. Катеев (Московский инженерно-физический институт)

Компьютерное моделирование высокочастотных свойств одноямных и двухъямных наноструктур

5.

10 мин.

Д.ф.-м.н. Ю.Е.Лозовик (Институт спектроскопии РАН)

Графен: электронные свойства и моделирование наноустройств

6.

10 мин.

Д.ф.-м.н. Н.Н. Дегтяренко, В.Ф. Елесин, Н.В. Матвеев, К.С. Пажитных, (Московский инженерно-физический институт)

Моделирование свойств перспективного энергонасыщенного нановещества на основе метастабильных кластеров азота и гелия и их ансамблей

7.

10 мин.

Академик А.А.Орликовский, к.ф.-м.н. В.В.Вьюрков, д.ф.-м.н. В.Ф.Лукичев, к.ф.-м.н.с. И.А.Семенихин (Физико-технологический институт)

Полностью квантовая модель полевого нанотранзистора

8.

10 мин.

Д.ф.-м.н. Р.М. Кадушников (ООО «СИАМС») академик М.В. Алфимов (Центр фотохимии РАН), проф. М.Н. Стриханов, А.Н. Петров (Московский инженерно-физический институт)

Компьютерное прототипирование и моделирование наноструктурированных хемосенсоров

9.

10 мин.

Профессор Е.Ф. Шека (Российский университет дружбы народов)

Углеродные наноматериалы: особенности вычислительного моделирования

10.

10 мин.

Член-корреспондент РАН Р.В.Гольдштейн, проф. Т.М.Махвиладзе, д.ф.-м.н. М.Е.Сарычев
(Физико-технологический институт РАН)

Моделирование надежности и механизмов разрушения металлизации и межсоединений в микро- и наноструктурах электроники

11.

10 мин.

Д.ф.-м.н. Б.Л. Воронин, М.н.с. С.В. Копкин, С.н.с. С.А. Грушин, С.н.с. А.М. Ерофеев , Д.ф.-м.н. В.Я. Урм (РФЯЦ-ВНИИЭФ)

Некоторые аспекты развития возможностей МД-моделирования в ИТМФ РФЯЦ-ВНИИЭФ

12.

10 мин.

С.И. Зайцев, А.А.Свинцов (Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН), В.В.Сироткин, Б.Н. Гайфулин (Интерфейс Лтд.)

Математическое моделирование для оптимизации параметров нанорельефа, создаваемого с помощью прецизионных электронно-лучевой литографии, наноимпринтинга или 3D FIB

 





Программа форума



Версия для печати   Вернуться в раздел   Вернуться на главную

Третий Международный форум по нанотехнологиям

Дирекция Форума

Государственная корпорация
Российская корпорация нанотехнологий

117420, Россия, Москва, ул. Наметкина, 12А
Тел.: +7 (495) 542-44-44,
факс: +7 (495) 988-56-82
e-mail: rusnanoforum09@rusnano.com
www.rusnanoforum.ru