Математическое моделирование нанотехнологий
Руководители:
|
Академик В.Е. Фортов |
Директор Института теплофизики экстремальных состояний Объединенного института высоких температур РАН |
|
Академик В.Б. Бетелин |
Директор Научно-исследовательского института системных исследований РАН |
|
Проф. М.Н. Стриханов |
Ректор Московского Инженерно-физического института |
|
Проф. Курт Кремер |
Институт изучения полимеров им. Макса Планка (Германия) |
Заседание 1.
3 декабря 15:00 – 18:45 Зал №9
Пленарные доклады:
|
№ |
Время |
Докладчики |
Названия докладов |
|
1. |
20 мин. |
Академик А.Р. Хохлов (МГУ им.М.В.Ломоносова, Институт элементоорганических соединений РАН) |
Компьютерное моделирование самоорганизации полимерных систем на масштабах 1-100 нм |
|
2. |
20 мин. |
Академик М.В. Алфимов, д.ф.-м.н. А.А. Багатурьянц (Центр фотохимии РАН) |
Многомасштабное атомистическое моделирование супрамолекулярных систем: проблемы и перспективы |
|
3. |
20 мин. |
Академик Н.Ф. Морозов, член-корреспондент РАН Д.А. Индейцев, д.ф.-м.н. Э.Л. Аэро, д.ф.-м.н. А.М. Кривцов, д.т.н. С.А. Кукушкин (Институт проблем машиноведения РАН) |
Математическое моделирование процессов формирования структуры и свойств наноматериалов и нанообъектов |
|
4. |
20 мин. |
Проф. Курт Кремер (Институт изучения полимеров им. Макса Планка, Германия) |
Органические материалы для молекулярной электроники: возможности моделирования |
Секционные доклады:
|
№ |
Время |
Докладчики |
Названия докладов |
|
1. |
10 мин. |
Член-корреспондент РАН М.А. Гузев (Институт прикладной математики ДВО РАН); Д.В. Бердышев, В.П. Глазунов (Тихоокеанский институт биоорганической химии ДВО РАН); А.А. Карпенко (Институт биологии моря им. А.В. Жирмунского ДВО РАН) |
Математическое моделирование структурной подвижности нанообъектов в приложении к задачам управления «фотомеханическими эффектами» и исследования механизмов анитоксидантного действия кардиопротекторов нового поколения |
|
2. |
10 мин. |
Академик В.М. Фомин, академик В.В. Болдырев, И.Ф. Головнёв, Е.И. Головнёва (Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН) |
Молекулярно-динамическое исследование столкновения металлических нанокластеров друг с другом и с подложкой и процесса осаждения наночастиц в легких |
|
|
15 мин. |
Кофе-брейк |
|
|
3. |
10 мин. |
Академик В.Е. Панин (Институт физики прочности и материаловедения СО РАН) |
Математическое моделирование нанотехнологии нанесения наноструктурных покрытий на конструкции для работы в экстремальных условиях нагружения |
|
4. |
10 мин. |
Д.ф.-м.н. В.Ф. Елесин, И.Ю. Катеев (Московский инженерно-физический институт) |
Компьютерное моделирование высокочастотных свойств одноямных и двухъямных наноструктур |
|
5. |
10 мин. |
Д.ф.-м.н. Ю.Е.Лозовик (Институт спектроскопии РАН) |
Графен: электронные свойства и моделирование наноустройств |
|
6. |
10 мин. |
Д.ф.-м.н. Н.Н. Дегтяренко, В.Ф. Елесин, Н.В. Матвеев, К.С. Пажитных, (Московский инженерно-физический институт) |
Моделирование свойств перспективного энергонасыщенного нановещества на основе метастабильных кластеров азота и гелия и их ансамблей |
|
7. |
10 мин. |
Академик А.А.Орликовский, к.ф.-м.н. В.В.Вьюрков, д.ф.-м.н. В.Ф.Лукичев, к.ф.-м.н.с. И.А.Семенихин (Физико-технологический институт) |
Полностью квантовая модель полевого нанотранзистора |
|
8. |
10 мин. |
Д.ф.-м.н. Р.М. Кадушников (ООО «СИАМС») академик М.В. Алфимов (Центр фотохимии РАН), проф. М.Н. Стриханов, А.Н. Петров (Московский инженерно-физический институт) |
Компьютерное прототипирование и моделирование наноструктурированных хемосенсоров |
|
9. |
10 мин. |
Профессор Е.Ф. Шека (Российский университет дружбы народов) |
Углеродные наноматериалы: особенности вычислительного моделирования |
|
10. |
10 мин. |
Член-корреспондент РАН Р.В.Гольдштейн, проф. Т.М.Махвиладзе, д.ф.-м.н. М.Е.Сарычев |
Моделирование надежности и механизмов разрушения металлизации и межсоединений в микро- и наноструктурах электроники |
|
11. |
10 мин. |
Д.ф.-м.н. Б.Л. Воронин, М.н.с. С.В. Копкин, С.н.с. С.А. Грушин, С.н.с. А.М. Ерофеев , Д.ф.-м.н. В.Я. Урм (РФЯЦ-ВНИИЭФ) |
Некоторые аспекты развития возможностей МД-моделирования в ИТМФ РФЯЦ-ВНИИЭФ |
|
12. |
10 мин. |
С.И. Зайцев, А.А.Свинцов (Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН), В.В.Сироткин, Б.Н. Гайфулин (Интерфейс Лтд.) |
Математическое моделирование для оптимизации параметров нанорельефа, создаваемого с помощью прецизионных электронно-лучевой литографии, наноимпринтинга или 3D FIB
|
Версия для печати Вернуться в раздел Вернуться на главную
